參數(shù)資料
型號： IRF2903ZL
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大?。?/td> 414K
代理商： IRF2903ZL
www.irf.com
5
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
25
50
75
100
125
150
175
TC , Case Temperature (°C)
0
50
100
150
200
250
300
ID
LIMITED BY PACKAGE
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
TJ , Junction Temperature (°C)
0.5
1.0
1.5
2.0
RD
ID = 75A
VGS = 10V
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
T
0.20
0.10
D = 0.50
0.02
0.01
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
0.08133 0.000044
0.2408 0.000971
0.18658 0.008723
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
τ
C
Ci
τ
i
/
Ri
Ci=
τ
i
/
Ri
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF2903ZS HEXFET Power MOSFET
IRF3000PBF HEXFET Power MOSFET
IRF3007LPBF HEXFET Power MOSFET
IRF3007SPBF HEXFET Power MOSFET
IRF3202SPBF Zener Diode; Application: Low noise; Pd (mW): 250; Vz (V): 4.0 to 4.4; Condition Iz at Vz (mA): 0.5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: LLD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRF2903ZSPBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.4mOhms 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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