參數(shù)資料
型號: IRF2807SPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET
中文描述: HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù): 9/10頁
文件大?。?/td> 280K
代理商: IRF2807SPBF
www.irf.com
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TO-262 Part Marking Information
TO-262 Package Outline
AS S E MBL Y
L OT CODE
RE CT IF IER
L OGO
INT E RNAT IONAL
AS S E MB L ED ON WW 19, 1997
IN T HE AS S E MB L Y LINE "C"
Note: "P" in ass embly line
pos ition indicates "L ead-F ree"
T H IS IS AN IRL 3103L
L OT CODE 1789
E XAMPL E:
L INE C
DAT E CODE
YE AR 7 = 1997
WEE K 19
PART NUMB E R
PART NUMB E R
L OGO
L OT CODE
AS S E MBL Y
INT E RNAT IONAL
RE CT IF IER
YE APRODUCT (OPTIONAL)
P = DE S IGNAT E S L EAD-F REE
A = AS S E MB L Y S ITE CODE
DAT E CODE
OR
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF2807L HEXFET Power MOSFET
IRF2807S HEXFET Power MOSFET
IRF2903ZPBF AUTOMOTIVE MOSFET
IRF2907ZLPbF HEXFET Power MOSFET
IRF2907ZPBF HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF2807STRL 功能描述:MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF2807STRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF2807STRR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 82A I(D) | TO-263AB
IRF2807STRRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 75V 82A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRF2807STRRPBF 功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 106.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube