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參數(shù)資料
| 型號： | IRF2807L |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 4/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 134K |
| 代理商： | IRF2807L |
IRF2807S/IRF2807L
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
40
80
120
160
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
43A
V
= 15V
DS
V
= 37V
DS
V
= 60V
DS
0.1
1
10
100
1000
0.0
0.4
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
I
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 175 C
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
1
10
100
1000
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
Tc = 25
°
C
Tj = 175
°
C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF2807S | HEXFET Power MOSFET |
| IRF2903ZPBF | AUTOMOTIVE MOSFET |
| IRF2907ZLPbF | HEXFET Power MOSFET |
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| IRF2907ZSPbF | HEXFET Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF2807LPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N-Channel 75V 82A TO262 |
| IRF2807PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF2807S | 功能描述:MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF2807SHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
| IRF2807SPBF | 功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 106.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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