參數(shù)資料
型號(hào): IRF2805S
廠商: International Rectifier
英文描述: AUTOMOTIVE MOSFET
中文描述: 汽車MOSFET的
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代理商: IRF2805S
IRF2805S/IRF2805L
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 14.
Threshold Voltage Vs. Temperature
RG
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
DRIVER
A
15V
20V
GS
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
TJ , Temperature ( °C )
1.0
2.0
3.0
4.0
-G
ID = 250μA
25
50
75
100
125
150
175
0
200
400
600
800
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
A
ID
TOP
BOTTOM
42.5A
73.5A
104A
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PDF描述
IRF2807LPbF HEXFET Power MOSFET
IRF2807SPBF HEXFET Power MOSFET
IRF2807L HEXFET Power MOSFET
IRF2807S HEXFET Power MOSFET
IRF2903ZPBF AUTOMOTIVE MOSFET
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參數(shù)描述
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IRF2805STRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 135A 4.7mOhm 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF2805STRRPBF 功能描述:MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF2807 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:Single N-Channel 75 V 230 W 160 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
IRF2807HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 80V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 80V 82A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube