參數(shù)資料
型號(hào)： IRF1404ZPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： AUTOMOTIVE MOSFET
中文描述： 汽車MOSFET的
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大?。?/td> 340K
代理商： IRF1404ZPBF
2
www.irf.com
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
gfs
Forward Transconductance
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Min.
40
–––
–––
2.0
170
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ. Max. Units
–––
–––
0.033
–––
2.7
3.7
–––
4.0
–––
–––
–––
20
–––
250
–––
200
–––
-200
100
150
31
–––
42
–––
18
–––
110
–––
36
–––
58
–––
4.5
–––
V
V/°C
m
V
V
μA
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Internal Drain Inductance
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
L
D
nC
ns
Between lead,
nH
6mm (0.25in.)
from package
L
S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 32V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 32V
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
–––
4340
1030
550
3300
920
1350
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
I
SM
Pulsed Source Current
(Body Diode)
V
SD
Diode Forward Voltage
t
rr
Reverse Recovery Time
Q
rr
Reverse Recovery Charge
t
on
Forward Turn-On Time
Min.
–––
Typ. Max. Units
–––
75
A
–––
–––
750
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)
–––
28
34
1.3
42
51
V
ns
nC
V
DS
= 25V, I
D
= 75A
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
I
D
= 75A
V
DS
= 32V
V
GS
= 10V
V
DD
= 20V
I
D
= 75A
R
G
= 3.0
Conditions
V
GS
= 10V
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 75A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 75A, V
DD
= 20V
di/dt = 100A/μs
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 75A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF1404ZSPbF AUTOMOTIVE MOSFET
IRF1404ZL Advanced Process Technology
IRF1404ZS Advanced Process Technology
IRF1405LPBF AUTOMOTIVE MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 5.3mヘ , ID = 131A )
IRF1405SPBF AUTOMOTIVE MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 5.3mヘ , ID = 131A )
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF1404ZS 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRF1404ZSPBF 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 3.7mOhms 100nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF1404ZSTRL 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF1404ZSTRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF1404ZSTRR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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