參數(shù)資料
型號： IRF1404LPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： AUTOMOTIVE MOSFET
中文描述： 汽車MOSFET的
文件頁數(shù)： 11/12頁
文件大?。?/td> 340K
代理商： IRF1404LPBF
www.irf.com
11
TO-262 Part Marking Information
TO-262 Package Outline (
Dimensions are shown in millimeters (inches))
LOGO
RECTIFIER
INTERNATIONAL
LOT CODE
ASSEMBLY
LOGO
RECTIFIER
INTERNATIONAL
DATE CODE
P = DESIGNATES LEAD-FREE
WEEK 19
A = ASSEMBLY SITE CODE
YEAR 7 = 1997
PART NUMBER
OR
PRODUCT (OPTIONAL)
EXAMPLE: THIS IS AN IRL3103L
LOT CODE 1789
ASSEMBLED ON WW 19, 1997
IN THE ASSEMBLY LINE "C"
ASSEMBLY
LOT CODE
PART NUMBER
DATE CODE
YEAR 7 = 1997
WEEK 19
LINE C
相關PDF資料
PDF描述
IRF1404ZLPbF AUTOMOTIVE MOSFET
IRF1404ZPBF AUTOMOTIVE MOSFET
IRF1404ZSPbF AUTOMOTIVE MOSFET
IRF1404ZL Advanced Process Technology
IRF1404ZS Advanced Process Technology
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRF1404PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF1404S 功能描述:MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF1404SPBF 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF1404STRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF1404STRR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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