參數(shù)資料
型號： IRF1310S
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.04ohm, Id=41A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 100V的，的Rds（on）\u003d 0.04ohm，身份證\u003d 41A條）
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 361K
代理商： IRF1310S
IRF1310S
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
0
1000
2000
3000
4000
1
10
100
C
VDS
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
0
30
60
90
120
Q , Total Gate Charge (nC)
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
V
G
V = 80V
V = 50V
V = 20V
I = 25A
1
10
100
1000
0
0.5
1
1.5
2
2.5
T = 25°C
V = 0V
V , Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
T = 175°C
1
10
100
1000
1
10
100
1000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
10μs
100μs
1ms
10ms
100ms
T = 25°C
T = 175°C
Single Pulse
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PDF描述
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