參數(shù)資料
型號： IRC640PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET POWER MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 9/9頁
文件大小： 1143K
代理商： IRC640PBF
www.irf.com
9
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.
02/05
LINE C
EXAMPLE:
LOT CODE 1789
ASSEMBLED ON WW 19, 1997
IN THE ASSEMBLY LINE "C"
WITH ASSEMBLY
THIS IS AN IRC640
LOT CODE
ASSEMBLY
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
IRC640
17
89
719C
DATE CODE
YEAR 7 = 1997
WEEK 19
PART NUMBER
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRC830 Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=1.5ohm, Id=4.5A)
IRC840PBF HEXFET Power MOSFET
IRC840 Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=8.0A)
IRCZ34PBF HEXFET Power MOSFET
IRD1 Infrared Pulse Detector
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRC644 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.28ohm, Id=14A)
IRC644-007 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-220VAR
IRC644-008 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-220VAR
IRC644PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRC730 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=1.0ohm, Id=5.5A)
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