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參數(shù)資料
| 型號： | IRC5S |
| 英文描述： | Analog IC |
| 中文描述： | 模擬IC |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 147K |
| 代理商： | IRC5S |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRC9D | Analog IC |
| IRC9S | Analog IC |
| IRF28D | Analog IC |
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| IRACB201 | Accelerator Bundled System with Source Code |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRC630 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=9.0A) |
| IRC630-007 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.3A I(D) | TO-220VAR |
| IRC630-008 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.3A I(D) | TO-220VAR |
| IRC630PBF | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9A TO-220-5 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRC634 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.45ohm, Id=8.1A) |
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