參數(shù)資料
型號(hào)： IR480BG12D
元件分類(lèi)： 晶閘管
英文描述： 1200 V, SCR
封裝： DIE
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 155K
代理商： IR480BG12D
1
www.irf.com
Junction Size
:
Square 480 mils
Wafer Size
:
4"
V
RRM/ VDRM Class
:
600 to 1200 V
Passivation Process
:
Glassivated MESA
Reference IR Packaged Part
:
IRKT91 Series
PHASE CONTROL THYRISTORS
IR480BG..DCB
Major Ratings and Characteristics
Parameters
Units
Test Conditions
V
TM
MaximumOn-stateVoltage
1.2 V
T
J = 25°C, IT = 25 A
V
RRM/ VDRM ReverseBreakdownVoltage
600 to 1200 V
T
J = 25°C, IRRM = 100 A
(1)
I
GT
Max.RequiredDCGateCurrenttoTrigger
110mA
T
J = 25° C, anode supply = 6 V, resistive load
V
GT
Max.RequiredDCGateVoltagetoTrigger
1.9 V
T
J = 25° C, anode supply = 6 V, resistive load
I
H
HoldingCurrentRange
10 to 200 mA
Anode supply = 6 V, resistive load
I
L
MaximumLatchingCurrent
400mA
Anode supply = 6 V, resistive load
Mechanical Characteristics
Nominal Back Metal Composition, Thickness
Cr - Ni - Ag (1 KA - 4 KA - 6 KA)
NominalFrontMetalComposition,Thickness
100% Al (20 m)
Chip Dimensions
480 x 480 mils (see drawing)
Wafer Diameter
100 mm, with std. <100> flat
Wafer Thickness
370 m ± 10 m
Maximum Width of Sawing Line
130 m
Reject Ink Dot Size
0.25 mm diameter minimum
Ink Dot Location
See drawing
Recommended Storage Environment
Storage in original container, in dessicated
nitrogen, with no contamination
Bulletin I0208J rev. A 01/01
(1) Nitrogen flow on die edge.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IR67-21C/B/TR8 2.4 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 940 nm
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IRF531 14 A, 80 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220
IRF540 28 A, 100 V, 0.077 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220
IRF614STRL 2.7 A, 250 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
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參數(shù)描述
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IR-5000 制造商:Channel Vision 功能描述:Infrared Distribution System with Four Emitters, Hub and IR Target 制造商:CHANNEL VISION 功能描述:IR DISTRIBUTION SYSTEM CMPLT IR RECEIVER 4 EMITTERS AND HUB
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