參數(shù)資料
型號： IR3315S
廠商： International Rectifier
英文描述： LOW EMI CURRENT SENSE HIGH SIDE SWITCH
中文描述： 低EMI電流檢測高端開關(guān)
文件頁數(shù)： 3/13頁
文件大小： 993K
代理商： IR3315S
IR3315(S)PbF
Protection Characteristics
Tj=25°C, Rifb=500 to 5k
Symbol
Parameter
Vifb-Vin@Isd
Over-current s
Tsd
Over temperature threshold
OV
Over voltage protection (not latched)
Isdf
Fixed over current shutdown
Isd_1k
Programmable over current shutdown 1k
Treset
Time to reset protection
Min. pulse
Min. pulse width (no WAIT state)
WAIT
WAIT function timer
Rds(on) rev.
Reverse battery On state resistance
Min.
4
33
30
9
200
0.4
10
Typ.
4.7
165
35
38
12
50
400
1
16
Max.
5.6
39
47
16
500
1200
2
28
Units
V
°C
V
Test Conditions
ig. 5
See f
Vifb
Vifb<
-Vin@
1k
Rifb=
S
fig.
ee
5
See fig. 4 and 5
Vcc-Vin=-14V,
I
10A
out=
hutdown threshold
Isd
A
μs
ms
m
S
T
lec
c=14
Typ.
1.5
Max.
32
5
Units
V
Test Conditions
cc
Vin=V
V
cc-Vifb=14V
V
in=1
cc-V
Vin=Vcc, Vcc-Vifb=0
ou
Vcc-V
t=14V
0A
Iout=1
, Vcc-V n=14V
Io
7A, V
ut=
cc-
Iout=10A, Vcc-Vin=14V
Io
50m
ut=
A
Iout=10A
in co
nce
mm
tatic E
j=25°C, Vc
Symbol
Vcc op.
Icc off
trical Characteristics
V (unless otherwise specified)
Parameter
Operating Voltage range
S
current
upply leakage
Min.
6
μA
o
, Vcc-V ut=14V,
Iin, on
Vih
Vil
Vhyst
Iout
O
H
Low level Input threshold voltage (4)
Input hysteresis Vih-Vil
Drain to source leakage current
.5
4
0.2
3
5.4
4.9
0.4
1.2
6
6.2
5.8
1
5
mA
n state IN positive current
igh level Input threshold voltage (4)
1
4V
V
μA
V,
On state resistance (5) Tj=25°C
On state resistance (5) Tj=25°C
O state res
n
istance (5) Tj=150°C
V
cc to Vout clamp voltage 1
V
cc to Vout clamp voltage 2
hold
urrent p
ath and the input signal path can
(5) Rdson is measured between the tab and the O
10
10
20
36
15
16
28.5
39
40
20
28
38
43
i
Vin=6V
Rds(on)
m
V clamp1
V clamp2
4) Input thres
he load c
V
(
t
n the input pin and the tab. Any parasitic resista
significantly affect the thresholds.
ut pin, 5mm away from the package.
on b
n
Switching Electrical Characteristics
Vcc=14V, Resistive load=4
, Tj=25°C
Symbol
Parameter
Tdon
Turn on delay time to 10% Vcc
Tr1
Rise time to Vcc-Vout=5V
Tr2
Rise time to Vcc-Vout=0.1Vcc
Eon
Turn on energy
Tdoff
Turn off delay time
Tf
Fall time to Vout=10% of Vcc
Eoff
Turn off energy
Min.
3
1
2
10
2
Typ.
11
4
8
0.2
40
8
0.1
Max.
27
10
20
100
20
Units
Test Conditions
s are measured directly betwee
etwee
μs
mJ
μs
mJ
See figure 2
www.irf.com
3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IR3315SPbF LOW EMI CURRENT SENSE HIGH SIDE SWITCH
IR6226 INTELLIGENT HIGH SIDE MOSFET POWER SWITCH
IRAUDAMP3 120W x 6 Channel Class D Audio Power Amplifier using IRS20124S and IRF6645
IRCZ24 Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.040ohm, Id=26A)
IRCZ34 CAC 10C 10#16 SKT RECP BOX
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參數(shù)描述
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IR3316PBF 功能描述:功率驅(qū)動器IC Low EMI Cur Sense Hi Sd Switch RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
IR3316S 制造商:International Rectifier 功能描述: 制造商:International Rectifier 功能描述:Power Distribution Load Switch IC, Power Load Switch Type:High Side, On State Re
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