參數(shù)資料
型號: IPS0551T
廠商: International Rectifier
英文描述: FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH
中文描述: 充分保護功率MOSFET開關(guān)
文件頁數(shù): 5/10頁
文件大?。?/td> 106K
代理商: IPS0551T
IPS0551T
www.irf.com
5
14 V
IN
D
S
5 v
0 v
L
R
+
-
Vds
Ids
Vin
V load
Rem : V load is negative
during demagnetization
Figure 4 - Active clamp test circuit
Figure 3 - Active clamp waveforms
Ids
Vds
Vin
T clamp
Vds clamp
( Vcc )
( see Appl . Notes to evaluate power dissipation )
Figure 1 - Timing diagram
Tr-in
10 %
90 %
90 %
10 %
Td on
Td off
tf
tr
Ids
Vin
Vds
Figure 2 - IN rise time & switching time definitions
Tsd
(165
°
c)
Vin
Ids
Isd
I shutdown
T
T shutdown
t < T reset
t > T reset
5 V
0 V
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IPS0551T(TO220) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 37V V(BR)DSS | TO-273AA
IPS05N03LA 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS 2 Power-Transistor
IPS05N03LA G 功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A IPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IPS05N03LAG 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube