參數(shù)資料
型號： IPS022G
廠商： International Rectifier
英文描述： DUAL FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH
中文描述： 雙充分保護(hù)功率MOSFET開關(guān)
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大?。?/td> 95K
代理商： IPS022G
IPS022G
2
www.irf.com
Absolute Maximum Ratings
Absolute maximum ratings indicate sustained limits beyond which damage to the device may occur. All voltage parameters
are referenced to SOURCE lead. (TAmbient = 25
C unless otherwise specified). PCB mounting uses the standard foot-
print with 70
μ
m copper thickness.
Symbol Parameter
Vds
Maximum drain to source voltage
Vin
Maximum input voltage
Iin, max
Maximum IN current
Isd
cont.
(
∑
lsd mosfets, rth=125
o
C/W)
Isd
pulsed
Diode max. pulsed current
(1) (for ea. mosfet)
Pd
(
∑
Pd mosfets, rth=125
o
C/W)
ESD1
Electrostatic discharge voltage
(Human Body)
Min.
—
Max.
47
Units
Test Conditions
-0.3
7
-10
+10
mA
Diode max. continuous current
(1)
—
1.4
—
10
Maximum power dissipation
(1)
—
1
W
—
4
C=100pF, R=1500
,
C=200pF, R=0
,
L=10
μ
H
ESD2
Electrostatic discharge voltage
(Machine Model)
—
0.5
T stor.
Tj max.
Max. storage temperature
-55
150
Max. junction temperature
-40
+150
V
A
kV
(1) Limited by junction temperature (pulsed current limited also by internal wiring)
Symbol Parameter
Rth1
Thermal resistance with standard footprint
(2 mos on)
(2 mosfets on)
Rth2
Thermal resistance with standard footprint
(1 mos on)
(1 mosfet on)
Rth3
Thermal resistance with 1" square footprint
(2 mos on)
(2 mosfets on)
Min.
Typ.
Max. Units Test Conditions
—
100
—
—
127
—
—
60
—
Thermal Characteristics
o
C/W
o
C
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