參數(shù)資料
型號(hào)： IPI60R299CP
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： CoolMOS Power Transistor
中文描述： 的CoolMOS功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 6/10頁(yè)
文件大?。?/td> 326K
代理商： IPI60R299CP
IPI60R299CP
9 Typ. gate charge
10 Forward characteristics of reverse diode
V
GS
=f(
Q
gate
);
I
D
=6.6 A pulsed
I
F
=f(
V
SD
)
parameter:
V
DD
parameter:
T
j
11 Avalanche energy
12 Drain-source breakdown voltage
E
AS
=f(
T
j
);
I
D
=4.4 A;
V
DD
=50 V
V
BR(DSS)
=f(
T
j
);
I
D
=0.25 mA
25 °C
150 °C
25 °C, 98%
150 °C, 98%
10
2
10
1
10
0
10
-1
0
0.5
1
1.5
2
V
SD
[V]
I
F
120 V
400 V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
5
10
Q
gate
[nC]
15
20
25
V
G
540
580
620
660
700
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
B
0
100
200
300
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
E
A
Rev. 2.0
page 6
2006-04-04
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPI60R385CP CoolMOS Power Transistor
IPL10040DE GT 5C 5#16S PIN PLUG
IPL100xx Shortform Catalogue
IPL10020 Shortform Catalogue
IPL10020BE Shortform Catalogue
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IPI60R380C6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10.6A TO262 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:CoolMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IPI60R380C6XKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-262 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:COOL MOS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10.6A TO262
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IPI60R385CP_07 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:CoolMOSTM Power Transistor
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