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參數(shù)資料
| 型號： | IPI11N03LA |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢2功率晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 318K |
| 代理商： | IPI11N03LA |
IPI11N03LA IPP11N03LA
9 Drain-source on-state resistance
10 Typ. gate threshold voltage
R
DS(on)
=f(
T
j
);
I
D
=30 A;
V
GS
=10 V
V
GS(th)
=f(
T
j
);
V
GS
=
V
DS
parameter:
I
D
11 Typ. capacitances
12 Forward characteristics of reverse diode
C
=f(
V
DS
);
V
GS
=0 V;
f
=1 MHz
I
F
=f(
V
SD
)
parameter:
T
j
typ
98 %
0
5
10
15
20
25
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
R
D
[
]
20 μA
200 μA
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
G
Ciss
Coss
Crss
10
4
10
3
10
2
10
1
0
10
20
30
V
DS
[V]
C
25 °C
175 °C
25°C 98%
175°C 98%
10
3
10
2
10
1
10
0
0
0.5
1
1.5
2
V
SD
[V]
I
F
Rev. 1.4
page 6
2006-05-11
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PDF描述 |
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