參數(shù)資料
型號(hào)： IPI06N03LA
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： PTSE 10C 10#20 SKT PLUG
中文描述： 的OptiMOS 2功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/10頁(yè)
文件大小： 347K
代理商： IPI06N03LA
IPB06N03LA
IPI06N03LA, IPP06N03LA
Opti
MOS
2 Power-Transistor
Features
Ideal for high-frequency dc/dc converters
N-channel
Logic level
Excellent gate charge x
R
DS(on)
product (FOM)
Very low on-resistance
R
DS(on)
Superior thermal resistance
175 °C operating temperature
d
v
/d
t
rated
Maximum ratings,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Unit
Continuous drain current
I
D
T
C
=25 °C
1)
50
A
T
C
=100 °C
50
Pulsed drain current
I
D,pulse
T
C
=25 °C
2)
350
Avalanche energy, single pulse
E
AS
I
D
=45 A,
R
GS
=25
225
mJ
Reverse diode d
v
/d
t
d
v
/d
t
I
D
=50 A,
V
DS
=20 V,
d
i
/d
t
=200 A/μs,
T
j,max
=175 °C
6
kV/μs
Gate source voltage
3)
V
GS
±20
V
Power dissipation
P
tot
T
C
=25 °C
83
W
Operating and storage temperature
T
j
,
T
stg
-55 ... 175
°C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
55/175/56
Value
V
DS
25
V
R
DS(on),max
(SMD version)
5.9
m
I
D
50
A
Product Summary
Type
Package
Ordering Code
Marking
IPB06N03LA
P-TO263-3-2
Q67042-S4146
06N03LA
IPI06N03LA
P-TO262-3-1
Q67042-S4147
06N03LA
IPP06N03LA
P-TO220-3-1
Q67042-S4148
06N03LA
P-TO220-3-1
P-TO262-3-1
P-TO263-3-2
Rev. 1.3
page 1
2003-12-18
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPP06N03LA PTSE 19C 19#20 PIN PLUG
IPB06N03LB OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB070N06LG OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB070N06NG OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB085N06LG OptiMOS㈢ Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPI070N06N G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IPI070N06NG 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPI070N06NGXK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-262
IPI070N08N3 G 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPI070N08N3G 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS3 Power-Transistor
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