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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IPI05N03LA |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS 2 Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS 2功率晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 9/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 348K |
| 代理商： | IPI05N03LA |
IPB05N03LA
IPI05N03LA, IPP05N03LA
P-TO262-3-1: Outline
P-TO220-3-1: Outline
Packaging
Dimensions in mm
Rev. 1.4
page 9
2004-03-23
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPP05N03LA | OptiMOS 2 Power-Transistor |
| IPI11N03LA | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPI60R199CP | CoolMOS Power Transistor |
| IPI60R299CP | CoolMOS Power Transistor |
| IPI60R385CP | CoolMOS Power Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IPI06CN10N G | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IPI06CN10NG | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS?2 Power-Transistor |
| IPI06CN10NGXK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
| IPI06CNE8N G | 功能描述:MOSFET N-CH 85V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IPI06CNE8NG | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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