參數(shù)資料
型號(hào)： IPD13N03LA
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Flat / Ribbon Cable; Number of Conductors:25; Pitch Spacing:0.05"; Conductor Size AWG:28; No. Strands x Strand Size:7 x 36; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Approval Bodies:UL, CSA; Capacitance:50pF RoHS Compliant: Yes
中文描述： 的OptiMOS 2功率晶體管
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大?。?/td> 348K
代理商： IPD13N03LA
IPD13N03LA
IPU13N03LA
Parameter
Symbol Conditions
Unit
min.
typ.
max.
Dynamic characteristics
Input capacitance
C
iss
-
784
1043
pF
Output capacitance
C
oss
-
303
402
Reverse transfer capacitance
C
rss
-
41
62
Turn-on delay time
t
d(on)
-
5.4
8
ns
Rise time
t
r
-
4.6
7
Turn-off delay time
t
d(off)
-
15
23
Fall time
t
f
-
2.6
3.9
Gate Charge Characteristics
6)
Gate to source charge
Q
gs
-
3
4
nC
Gate charge at threshold
Q
g(th)
-
1.3
1.7
Gate to drain charge
Q
gd
-
1.8
2.7
Switching charge
Q
sw
-
3
5
Gate charge total
Q
g
-
6
8
Gate plateau voltage
V
plateau
-
3.4
-
V
Gate charge total, sync. FET
Q
g(sync)
V
DS
=0.1 V,
V
GS
=0 to 5 V
-
6
7
nC
Output charge
Q
oss
V
DD
=15 V,
V
GS
=0 V
-
7
9
Reverse Diode
Diode continous forward current
I
S
-
-
30
A
Diode pulse current
I
S,pulse
-
-
210
Diode forward voltage
V
SD
V
GS
=0 V,
I
F
=30 A,
T
j
=25 °C
-
0.95
1.2
V
Reverse recovery charge
Q
rr
V
R
=15 V,
I
F
=
I
S
,
d
i
F
/d
t
=400 A/μs
-
-
10
nC
6)
See figure 16 for gate charge parameter definition
T
C
=25 °C
Values
V
GS
=0 V,
V
DS
=15 V,
f
=1 MHz
V
DD
=15 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=15 A,
R
G
=2.7
V
DD
=15 V,
I
D
=15 A,
V
GS
=0 to 5 V
Rev. 1.4
page 3
2004-02-04
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPU14N03L MULTI DVI DAISY CHAINABLE RECEIVER -FIBER
IQEXO-3 Crystal oscillator module,16MHz DIL8
IQTCQO-250KS Temperature Compensated Crystal Oscillators
IQTCQO-250CP Temperature Compensated Crystal Oscillators
IQTCQO-250GP Temperature Compensated Crystal Oscillators
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPD13N03LA G 功能描述:MOSFET N-CH 25V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPD13N03LAG 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD13N03LAGBUMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
IPD13N03LAGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-252 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 25V 30A 3PIN TO-252 - Cut TR (SOS) 制造商:Infineon Technologies 功能描述:Infineon IPD13N03LAGXT MOSFETs
IPD144N06N G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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