參數(shù)資料
型號： IPB160N04S2L-03
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢ - T Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢ -筆電晶體管
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 164K
代理商： IPB160N04S2L-03
IPB160N04S2L-03
9 Drain-source on-state resistance
10 Typ. gate threshold voltage
R
DS(on)
=f(
T
j
);
I
D
=60 A;
V
GS
=10 V
V
GS(th)
=f(
T
j
);
V
GS
=
V
DS
parameter:
I
D
11 Typ. capacitances
12 Typ. Forward characteristics of reverse diode
C
=f(
V
DS
);
V
GS
=0 V;
f
=1 MHz
I
F
=f(
V
SD
)
parameter:
T
j
typ
0
1
2
3
4
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
R
D
[
]
250μA
1250μA
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
G
Ciss
Coss
Crss
100
1000
10000
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
[V]
C
25 °C
175 °C
1
10
100
1000
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
SD
[V]
I
F
Rev. 1.0
page 6
2006-03-02
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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