參數(shù)資料
型號： IPB10N03L
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Hook-Up Wire; Conductor Size AWG:24; No. Strands x Strand Size:7 x 32; Jacket Color:Red; Approval Bodies:UL; Approval Categories:UL AWM Style 1213; Passes VW-1 Flame Test; Cable/Wire MIL SPEC:MIL-W-16878/4 Type E RoHS Compliant: Yes
中文描述： 的OptiMOS降壓轉(zhuǎn)換器系列
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 452K
代理商： IPB10N03L
2003-01-17
Page 2
IPP10N03L
IPB10N03L
Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Values
typ.
Unit
min.
max.
Characteristics
Thermal resistance, junction - case
SMD version, device on PCB:
R
thJC
R
thJA
-
0.9
1.4
K/W
@ min. footprint
@ 6 cm
2
cooling area
3)
-
-
-
-
62
40
Electrical Characteristics
, at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
typ.
Unit
min.
max.
Static Characteristics
Drain-source breakdown voltage
V
GS
=0V,
I
D
=1mA
Gate threshold voltage,
V
GS
=
V
DS
I
D
=60μA
Zero gate voltage drain current
V
(BR)DSS
30
-
-
V
V
GS(th)
1.2
1.6
2
V
DS
=30V,
V
GS
=0V,
T
j
=25°C
V
DS
=30V,
V
GS
=0V,
T
j
=175°C
Gate-source leakage current
I
DSS
-
-
0.01
10
1
100
μA
V
GS
=20V,
V
DS
=0V
Drain-source on-state resistance
I
GSS
-
1
100
nA
V
GS
=4.5V,
I
D
=36A
V
GS
=4.5V,
I
D
=36A, SMD version
Drain-source on-state resistance
4)
R
DS(on)
-
-
9.9
9.5
13.4
13.1
m
V
GS
=10V,
I
D
=36A
V
GS
=10V,
I
D
=36A, SMD version
R
DS(on)
-
-
6.8
6.5
9.2
8.9
1Current limited by bondwire ; with an
R
thJC
= 1.4K/W the chip is able to carry
I
D
= 88A at 25°C, for detailed
information see app.-note ANPS071E available at
www.infineon.com/optimos
2Defined by design. Not subject to production test.
3Device on 40mm*40mm*1.5mm epoxy PCB FR4 with 6cm2 (one layer, 70 μm thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical without blown air.
4Diagrams are related to straight lead versions
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPS04N03LA OptiMOS 2 Power-Transistor
IPU04N03LA OptiMOS 2 Power-Transistor
IPF04N03LA OptiMOS 2 Power-Transistor
IPD04N03LA OptiMOS 2 Power-Transistor
IPS06N03LA Circular Connector; No. of Contacts:61; Series:; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Solder; Connector Shell Size:24; Circular Contact Gender:Socket; Circular Shell Style:Straight Plug; Insert Arrangement:24-61
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPB10N03LB 功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IPB10N03LB G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IPB10N03LBG 功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB10N03LBGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB10N03LBNT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-263
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