參數(shù)資料
型號： IMH20T1GT1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Dual Bias Resistor Transistor
中文描述： 雙偏置電阻晶體管
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 23K
代理商： IMH20T1GT1
Semiconductor Components Industries, LLC, 2003
July, 2003 - Rev. 0
Publication Order Number:
IMH20T1G/D
IMH20T1G
Dual Bias Resistor
Transistor
NPN Surface Mount
Low V
CC
(sat) 80 mV max at IC/IB = 50 mA/2.5 mA
High Current: I
C
= 600 mA max
Lead Free Plating
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25
°
C)
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector-Base Voltage
V
(BR)CBO
30
Vdc
Collector-Emitter Voltage
V
(BR)CEO
15
Vdc
Emitter-Base Voltage
V
(BR)EBO
5.0
Vdc
Collector Current - Continuous
I
C
600
mAdc
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Power Dissipation*
P
D
300
mW
Junction Temperature
T
J
150
°
C
Storage Temperature
T
stg
- 55 to +150
°
C
*Total for both Elements
SC-74
MARKING
DIAGRAM
xx M
xx
M
= Specific Device Code
= Date Code
Device
Package
Shipping
ORDERING INFORMATION
IMH20T1G
SC-74
3000/Tape & Reel
The “T1” suffix refers to a 7-inch reel.
Q
1
http://onsemi.com
Q2
R1
R1
(4)
(5)
(6)
(1)
(2)
(3)
1
6
SC-74
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
IMH20TR1 功能描述:TRANS NPN DUAL BIAS 500MA SC74-6 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:70mA，100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k，2.2k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz，200MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000784046
IMH20TR1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 50V Digital NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
IMH21 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Dual digital transistors
IMH21T110 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS DIGI BJT NPN 20V 600MA 6PIN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
IMH22 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Dual digital transistors
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