參數(shù)資料
型號(hào)： IHW30N100R
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
中文描述： 反向開(kāi)展與IGBT的單片體二極管
文件頁(yè)數(shù)： 3/12頁(yè)
文件大小： 370K
代理商： IHW30N100R
Soft Switching Series
IHW30N100R
q
Power Semiconductors
3
Rev. 2 July 06
Switching Characteristic, Inductive Load,
at
T
j
=25
°
C
Value
Typ.
Parameter
Symbol
Conditions
min.
max.
Unit
IGBT Characteristic
Turn-off delay time
Fall time
Turn-on energy
Turn-off energy
Total switching energy
Switching Characteristic, Inductive Load,
at
T
j
=175
°
C
t
d(off)
t
f
E
on
E
off
E
ts
-
-
-
-
-
846
33.3
-
2.1
-
-
-
T
j
=25
°
C,
V
CC
=600V,
I
C
=30A,
V
GE
=0/15V,
R
G
=26
,
mJ
Value
Typ.
Parameter
Symbol
Conditions
min.
max.
Unit
IGBT Characteristic
Turn-off delay time
Fall time
Turn-on energy
Turn-off energy
Total switching energy
t
d(off)
t
f
E
on
E
off
E
ts
-
-
-
-
-
948
40.4
-
2.86
-
-
-
-
-
-
T
j
=175
°
C
V
CC
=600V,
I
C
=30A,
V
GE
=0/15V,
R
G
= 26
mJ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IHW30N120R IGBT with monolithic body diode for soft switching Applications
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參數(shù)描述
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