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參數(shù)資料
| 型號： | IDTAMB0480A5RJ8 |
| 廠商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件頁數(shù)： | 4/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC MEMORY BUFFER ADV DIMM 655BGA |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 650 |
| 電源電壓： | 1.425 V ~ 1.59 V |
| 工作溫度： | 0°C ~ 70°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 655-BFBGA，F(xiàn)CBGA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 655-FCBGA（19.5x24.5） |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |
| 其它名稱： | AMB0480A5RJ8 |
12
COMMERCIALTEMPERATURERANGE
IDTAMB0480
ADVANCEDMEMORYBUFFERFORFULLYBUFFEREDDIMM
Symbol
Description
Min
Max
Unit
VDD
Supply voltage DRAM Interface
-0.5
+2.3
V
VIN (DDR2).
Voltage on any DDR2 interface
0.5
+2.3
V
VOUT (DDR2) pin relative to Vss(2)
IINK
Input Clamp Current
+30
mA
(VIN < 0 or VIN > VDD)
IOUTK
Output Clamp Current
+30
mA
(VOUT < 0 or VOUT > VDD)
IOUT
Continous Output Current
+30
mA
(VOUT = 0 to VDD)
N/A
Continuous current through
+100
mA
each VDD or GND
VCC
Supply voltage for Core
-0.3
+1.75
V
and High Speed Interface
TJ
Junction Temperature
+125
° C
TSTG
Storage Temperature Range
–55
+100
° C
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(1)
NOTES:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may cause
permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional operation
of the device at these or any other conditions above those indicated in the operational
sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating
conditions for extended periods may affect reliability.
2. The input and output negative-voltage ratings may be exceeded if the input and output
clamp-current ratings are observed. This value is limited to 2.3V maximum.
ADVANCED MEMORY BUFFER
NORMAL MODE DC ELECTRICAL
PARAMETERS
Parameter
Min
Typ
Max
Unit
VCC link / core(1,2,3,4)
1.425
1.5
1.59
V
VDD
1.7
1.8
1.9
V
VDDSPD
3.0
3.3
3.6
V
NOTES:
1. AMB 1.5V voltage regulation as measured at the package Balls.
2. DC defined as 0 KHz to 30 KHz.
3. DC + AC specified as 1.5V +6%, -5% 30KHz to 1 MHz.
4. There is also a +7%, -5% tolerance allowed for current load steps associated with
initialization/error-recovery state transitions, such as into and out of EI, IBIST, and
MEMBIST. For these transitions, a temporary voltage overshoot is expected and
acceptable as long as it is within +7% (step transition for 20
μs and maximum duty cycle
of 10-6 %). Transitions between Active and Idle states are not included in this +7%,
-5% tolerance.
ELECTRICAL, POWER, AND THERMAL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| MS3451L12S-3SZ | CONN RCPT 2POS CBL MNT W/SCKT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDTAMB0482C1RJ | 功能描述:IC MEMORY BUFFER ADV DIMM 655BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 接口 - 信號緩沖器，中繼器，分配器 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:160 系列:- 類型:轉(zhuǎn)發(fā)器 Tx/Rx類型:以太網(wǎng) 延遲時(shí)間:- 電容 - 輸入:- 電源電壓:2.37 V ~ 2.63 V 電流 - 電源:60mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:64-TQFP 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:64-TQFP-EP（10x10） 包裝:托盤 其它名稱:Q5134101 |
| IDTAMB0482C1RJ8 | 功能描述:IC MEMORY BUFFER ADV DIMM 655BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 接口 - 信號緩沖器，中繼器，分配器 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:160 系列:- 類型:轉(zhuǎn)發(fā)器 Tx/Rx類型:以太網(wǎng) 延遲時(shí)間:- 電容 - 輸入:- 電源電壓:2.37 V ~ 2.63 V 電流 - 電源:60mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:64-TQFP 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:64-TQFP-EP（10x10） 包裝:托盤 其它名稱:Q5134101 |
| IDTAMB0483D0RJ | 功能描述:IC MEMORY BUFFER ADV DIMM 655BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 接口 - 信號緩沖器，中繼器，分配器 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:160 系列:- 類型:轉(zhuǎn)發(fā)器 Tx/Rx類型:以太網(wǎng) 延遲時(shí)間:- 電容 - 輸入:- 電源電壓:2.37 V ~ 2.63 V 電流 - 電源:60mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:64-TQFP 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:64-TQFP-EP（10x10） 包裝:托盤 其它名稱:Q5134101 |
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