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參數(shù)資料
| 型號： | IDT7140SA35JGB |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
| 中文描述： | 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, PQCC52 |
| 封裝： | 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-52 |
| 文件頁數(shù)： | 1/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 149K |
| 代理商： | IDT7140SA35JGB |
1
OCTOBER 2008
DSC-2689/14
2008 Integrated Device Technology, Inc.
I/O
Control
Address
Decoder
MEMORY
ARRAY
ARBITRATION
and
INTERRUPT
LOGIC
Address
Decoder
I/O
Control
R/
WL
CEL
OEL
BUSYL
A9L
A0L
2689 drw 01
I/O0L- I/O7L
CEL
OEL
R/
WL
INTL
BUSYR
I/O0R-I/O7R
A9R
A0R
INTR
CER
OER
(2)
(1,2)
(2)
R/
WR
CER
OER
10
R/
WR
,
HIGH SPEED
1K X 8 DUAL-PORT
STATIC SRAM
IDT7130SA/LA
IDT7140SA/LA
Features
◆
High-speed access
– Commercial: 20/25/35/55/100ns (max.)
– Industrial: 25/55/100ns (max.)
– Military: 25/35/55/100ns (max.)
◆
Low-power operation
– IDT7130/IDT7140SA
— Active: 550mW (typ.)
— Standby: 5mW (typ.)
– IDT7130/IDT7140LA
— Active: 550mW (typ.)
— Standby: 1mW (typ.)
◆
MASTER IDT7130 easily expands data bus width to 16-or-
more-bits using SLAVE IDT7140
Functional Block Diagram
NOTES:
1.
IDT7130 (MASTER):
BUSY is open drain output and requires pullup resistor.
IDT7140 (SLAVE):
BUSY is input.
2.
Open drain output: requires pullup resistor.
◆
On-chip port arbitration logic (IDT7130 Only)
◆
BUSY output flag on IDT7130; BUSY input on IDT7140
◆
INT flag for port-to-port communication
◆
Fully asynchronous operation from either port
◆
Battery backup operation–2V data retention (LA only)
◆
TTL-compatible, single 5V ±10% power supply
◆
Military product compliant to MIL-PRF-38535 QML
◆
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
◆
Available in 48-pin DIP, LCC and Ceramic Flatpack, 52-pin
PLCC, and 64-pin STQFP and TQFP
◆
Green parts available, see ordering information
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7140SA25PG | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
| IDT7140SA25PGB | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
| IDT7140SA25PGI | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
| IDT71589S25DB | 32K X 9 CACHE TAG SRAM, 24 ns, CDIP32 |
| IDT71T75902S75BGI8 | 1M X 18 ZBT SRAM, 7.5 ns, PBGA119 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT7140SA35JI | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 52PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT7140SA35JI8 | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 52PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT7140SA35L48B | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 48LCC |
| IDT7140SA35P | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 48DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT7140SA35PF | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
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