參數(shù)資料
型號(hào)： IDT7140SA25PG
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類(lèi)： SRAM
英文描述： HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
中文描述： 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PDIP48
封裝： GREEN, PLASTIC, DIP-48
文件頁(yè)數(shù)： 7/19頁(yè)
文件大?。?/td> 147K
代理商： IDT7140SA25PG
15
IDT7130SA/LA and IDT7140SA/LA
High-Speed 1K x 8 Dual-Port Static SRAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
tINS
ADDR'A'
INT'B'
INTERRUPT ADDRESS
tWC
tAS
R/
W'A'
tWR
2689 drw 16
(3)
(2)
(4)
INT
Set:
Timing Waveform of Interrupt Mode(1)
NOTES:.
1. All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either left or right port. Port “B” is the opposite from port “A”.
2. See Interrupt Truth Table II.
3. Timing depends on which enable signal (
CE or R/W) is asserted last.
4. Timing depends on which enable signal (
CE or R/W) is de-asserted first.
INT
Clear:
AC Electrical characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage Range(1)
NOTES:
1.
'X' in part numbers indicates power rating (SA or LA).
7130X55
7140X55
Com'l, Ind
& Military
7130X100
7140X100
Com'l, Ind
& Military
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
INTERRUPT TIMING
tAS
Address Set-up Time
0
____
0
____
ns
tWR
Write Recovery Time
0
____
0
____
ns
tINS
Interrupt Set Time
____
45
____
60
ns
tINR
Interrupt Reset Time
____
45
____
60
ns
2689 tbl 12b
tRC
INTERRUPT CLEAR ADDRESS
ADDR'B'
OE'B'
tINR
INT'A'
2689 drw 17
tAS
(3)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT7140SA25PGB HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
IDT7140SA25PGI HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
IDT71589S25DB 32K X 9 CACHE TAG SRAM, 24 ns, CDIP32
IDT71T75902S75BGI8 1M X 18 ZBT SRAM, 7.5 ns, PBGA119
IDT71V2558XS166BQ 256K X 18 ZBT SRAM, 3.5 ns, PBGA165
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT7140SA35C 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 48DIP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):70V3579S5BCI8
IDT7140SA35CB 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS SB48
IDT7140SA35J 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 52PLCC RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
IDT7140SA35J8 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 52PLCC RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
IDT7140SA35JI 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 52PLCC RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
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