型號: | IDT6116SA25L28BG8 |
廠商: | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
元件分類: | SRAM |
英文描述: | 2K X 8 STANDARD SRAM, 25 ns, CQCC28 |
封裝: | LCC-28 |
文件頁數(shù): | 1/11頁 |
文件大?。?/td> | 301K |
代理商: | IDT6116SA25L28BG8 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IDT7005L55GB | Single, Ultra Low Cost, RRIO CMOS Amplifier |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IDT6116SA25P | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述: |
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IDT6116SA25SO | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 25NS 24SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
IDT6116SA25SO8 | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 25NS 24SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |