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BSC057N08NS3G

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  • BSC057N08NS3GATMA1
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  • 深圳市瑞斯特電子科技有限公司
    深圳市瑞斯特電子科技有限公司

    聯(lián)系人：楊銳鋒

    電話：0755-8255091013189682405

    地址：深圳福田區(qū)華強(qiáng)廣場(chǎng)二樓Q2B046

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  • 深圳市華金瑞電子有限公司
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    聯(lián)系人：劉

    電話：15323844149

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  • 深圳市品業(yè)電子有限公司
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    聯(lián)系人：李小姐

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  • BSC057N08NS3GATMA1
    BSC057N08NS3GATMA1

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  • 科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
    科創(chuàng)特電子（香港）有限公司

    聯(lián)系人：柯

    電話：0755-83014603

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  • BSC057N08NS3G
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  • 深圳市鵬威爾科技有限公司
    深圳市鵬威爾科技有限公司

    聯(lián)系人：胡慶偉

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-Channel 80V 16A OptiMOS3 TDSON8
BSC057N08NS3G 技術(shù)參數(shù)
  • BSC057N03MSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 71A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A（Ta），71A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.7 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3100pF @ 15V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC057N03LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 71A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:17A（Ta），71A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.7 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2400pF @ 15V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC054N04NSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 81A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:17A（Ta），81A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.4 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 27μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2800pF @ 20V 功率 - 最大值:57W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC052N08NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 95A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:95A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.2 毫歐 @ 47.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 49μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2900pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC052N03S G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18A（Ta），80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.2 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 40μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:22nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2820pF @ 15V 功率 - 最大值:54W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSC066N06NSATMA1 BSC067N06LS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 BSC072N025S G BSC072N03LD G BSC072N03LDGATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 BSC079N03LSCGATMA1 BSC079N03SG BSC079N10NSGATMA1 BSC080N03LSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 BSC080P03LS G BSC080P03LSGAUMA1 BSC082N10LSGATMA1
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