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STW75N06-14

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  • STW75N06-14
    STW75N06-14

    STW75N06-14

  • 北京杰創(chuàng)宏達電子有限公司
    北京杰創(chuàng)宏達電子有限公司

    聯(lián)系人:沈小姐/伊小姐/張先生

    電話:010-61190909

    地址:北京市海淀區(qū)安寧莊26號悅MOMA701室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 2220

  • STMICROELECTRONICS

  • 原廠原裝

  • 24+

  • -
  • 授權(quán)代理商

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
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STW75N06-14 技術(shù)參數(shù)
  • STW72N60DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 66A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級,AEC-Q101,MDmesh? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):66A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):42 毫歐 @ 33A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):121nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5508pF @ 100V 功率 - 最大值:446W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 STW70N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 68A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):68A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):40 毫歐 @ 34A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):118nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5200pF @ 100V 功率 - 最大值:450W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 STW70N60DM2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 66A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DM2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):66A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):42 毫歐 @ 33A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):121nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5508pF @ 100V 功率 - 最大值:446W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 STW70N10F4 功能描述:MOSFET N-CH 100V 65A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):65A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):19.5 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):85nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5800pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 STW6N95K5 功能描述:MOSFET N-CH 950V 9A TO-274 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):950V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.25 歐姆 @ 3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):13nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):450pF @ 100V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 STW80H150C STW80NE06-10 STW80NF06 STW80NF55-08 STW81100AT-1 STW81100ATR-1 STW81101AT STW81101ATR STW81102AT STW81103AT STW81200T STW81200TR STW82100BTR STW82101B STW82101BTR STW82102B STW82102BTR STW82103B
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