PDTC114YEF,115

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封裝
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說明
操作

PDTC114YEF,115
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業(yè)執(zhí)照
90000
NXP Semiconductors
SC-89
18+
-
TRANS PREBIAS NPN 25...

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功能描述
TRANS NPN W/RES 50V SOT-490
RoHS
是
類別
分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
系列
-
標準包裝
10,000
系列
-
晶體管類型
NPN - 預偏壓
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
100mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
50V
電阻器 - 基極 (R1)（歐）
47k
電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）
47k
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
70 @ 5mA，5V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
300mV @ 500µA，10mA
電流 - 集電極截止（最大）
-
頻率 - 轉換
100MHz
功率 - 最大
250mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SC-70，SOT-323
供應商設備封裝
PG-SOT323-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
SP000756242

PDTC114YEF,115 技術參數(shù)

PDTC114YE,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:10k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:47k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:150mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:SC-75 標準包裝:1 PDTC114TU,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售晶體管類型:NPN - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:10 kOhms 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323-3 基本零件編號:PDTC114 標準包裝:1 PDTC114TT,215 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售晶體管類型:NPN - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:10 kOhms 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）基本零件編號:PDTC114 標準包裝:1 PDTC114TM,315 功能描述:TRANS NPN W/RES 50V SOT-883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應晶體管類型:NPN - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:10 kOhms 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應商器件封裝:DFN1006-3 基本零件編號:PDTC114 標準包裝:1 PDTC114TEF,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SC89 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:10k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:150mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-89，SOT-490 供應商器件封裝:SC-89 標準包裝:1 PDTC115EE,115 PDTC115EEF,115 PDTC115EK,115 PDTC115EM,315 PDTC115EMB,315 PDTC115ES,126 PDTC115ET,215 PDTC115EU,115 PDTC115EUF PDTC115TE,115 PDTC115TK,115 PDTC115TM,315 PDTC115TMB,315 PDTC115TS,126 PDTC115TT,215 PDTC115TU,115 PDTC123EE,115 PDTC123EEF,115