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PDTC115TE,115

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  • 型號
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  • PDTC115TE,115
    PDTC115TE,115

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • PH3

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

  • PDTC115TE,115
    PDTC115TE,115

    PDTC115TE,115

  • 深圳市芯馳科技有限公司
    深圳市芯馳科技有限公司

    聯(lián)系人：丁皓鵬

    電話：1866538497818124166365

    地址：福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 100000

  • Philips Semiconducto

  • N/A

  • 15+

  • -

  • 原裝正品 價格優(yōu)勢！

  • PDTC115TE,115
    PDTC115TE,115

    PDTC115TE,115

  • 北京京華特科技有限公司
    北京京華特科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/韓先生

    電話：010-86398446-8061581080972213911315253

    地址：北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號樓603室

  • 2520

  • NXP

  • N/A ㊣品

  • N/A 全新進口

  • -

  • NXP原裝特賣，數(shù)量隨時變化下單需確認(rèn)！

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PDTC115TE,115 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 NPN W/RES 50V
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • ON Semiconductor
  • 配置
  • 晶體管極性
  • NPN/PNP
  • 典型輸入電阻器
  • 典型電阻器比率
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 200 mA
  • 最大工作頻率
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • 50 V
  • 集電極連續(xù)電流
  • 150 mA
  • 峰值直流集電極電流
  • 功率耗散
  • 200 mW
  • 最大工作溫度
  • 封裝
  • Reel
PDTC115TE,115 技術(shù)參數(shù)
  • PDTC115ET,215 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:100 kOhms 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）:100 kOhms 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTC115EM,315 功能描述:TRANS NPN W/RES 50V SOT-883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:100 kOhms 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）:100 kOhms 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:DFN1006-3 基本零件編號:PDTC115 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTC115EEF,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW SC89 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:100k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:100k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-89，SOT-490 供應(yīng)商器件封裝:SC-89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTC115EE,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:100k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:100k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:150mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:SC-75 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTC114YU,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:10 kOhms 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）:47 kOhms 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:230MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323-3 基本零件編號:PDTC114 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTC123EM,315 PDTC123EMB,315 PDTC123ES,126 PDTC123ET,215 PDTC123ETVL PDTC123EU,115 PDTC123JE,115 PDTC123JK,115 PDTC123JM,315 PDTC123JMB,315 PDTC123JQAZ PDTC123JS,126 PDTC123JT,215 PDTC123JT,235 PDTC123JU,115 PDTC123JU/ZLX PDTC123TE,115 PDTC123TM,315
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