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DMG9N65CT

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  • 封裝
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  • DMG9N65CT
    DMG9N65CT

    DMG9N65CT

  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    聯系人：李林

    電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3

    地址：深圳市福田區(qū)華強北電子科技大夏A座36樓C09

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 13850

  • DIODES/美臺

  • TO-220

  • 23+

  • -

  • 全新原裝正品現貨熱賣

  • DMG9N65CT
    DMG9N65CT

    DMG9N65CT

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • DMG9N65CT
    DMG9N65CT

    DMG9N65CT

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 910

  • DIODES IN

  • 管件

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現貨

  • DMG9N65CTI
    DMG9N65CTI

    DMG9N65CTI

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • DIODES

  • TO-220F

  • 最新批號

  • -

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DMG9N65CT PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-Ch Enh Mode FET 650V 10V VGS 9.0A
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
DMG9N65CT 技術參數
  • DMG8880LSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11.6A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 11.6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:27.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1289pF @ 15V 功率 - 最大值:1.43W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:8-SOP 標準包裝:1 DMG4712SSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，肖特基，金屬氧化物! FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11.2A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 11.2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:45.7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2296pF @ 15V 功率 - 最大值:1.55W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:8-SOP 標準包裝:1 DMG4468LFG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):無貨 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7.62A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 11.6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18.85nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:867pF @ 10V 功率 - 最大值:990mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerUDFN 供應商器件封裝:DFN3030-8 標準包裝:1 DMF-50840NF-FW-AUE-BIN 功能描述:Graphic LCD Display Module Transmissive FSTN - Film Super-Twisted Nematic Parallel 320 x 240 (QVGA) 制造商:kyocera international, inc. 系列:- 零件狀態(tài):過期 顯示類型:FSTN - 薄膜超扭轉向列 顯示模式:可傳導的 觸摸屏:- 屏幕對角線尺寸:- 可視范圍:120.00mm 寬 x 90.00mm 高 背光:CCFL 點像素:320 x 240（QVGA） 接口:并聯 圖形顏色:- 背景顏色:白 點尺寸:0.33mm 寬 x 0.33mm 高 點間距:0.36mm 寬 x 0.36mm 高 標準包裝:36 DMF-50840NB-FW-ASE-BFN 功能描述:Graphic LCD Display Module Transmissive STN - Super-Twisted Nematic Parallel 320 x 240 (QVGA) 制造商:kyocera international, inc. 系列:- 零件狀態(tài):過期 顯示類型:STN - 超扭轉向列 顯示模式:可傳導的 觸摸屏:- 屏幕對角線尺寸:- 可視范圍:120.00mm 寬 x 90.00mm 高 背光:CCFL 點像素:320 x 240（QVGA） 接口:并聯 圖形顏色:- 背景顏色:藍 點尺寸:0.33mm 寬 x 0.33mm 高 點間距:0.36mm 寬 x 0.36mm 高 標準包裝:36 DMHC4035LSDQ-13 DMHC6070LSD-13 DMHE001 DMH-E-001 DMH-E-003 DMHT6016LFJ-13 DMJ2833-000 DMJ70H1D0SV3 DMJ70H1D3SH3 DMJ70H1D3SI3 DMJ70H1D3SJ3 DMJ70H1D4SV3 DMJ70H1D5SV3 DMJ70H600SH3 DMJ70H601SK3-13 DMJ70H601SV3 DMJ70H900HJ3 DMJ7N70SK3-13
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