您好,歡迎來到買賣IC網(wǎng) 登錄 | 免費注冊
您現(xiàn)在的位置:買賣IC網(wǎng) > D字母型號搜索 > D字母第1708頁 >

DMJ70H900HJ3

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • DMJ70H900HJ3
    DMJ70H900HJ3

    DMJ70H900HJ3

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人:雷小姐

    電話:0755-2391507123915070(承諾只售原裝正品,終端BOM配單一站式服務(wù))

    地址:華強街道賽格廣場55樓5566室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 90000

  • DIODES/美臺

  • TO251(TypeTH)

  • 2020+

  • -
  • ★★★真實庫存,假一賠十,原廠授權(quán)★★★

  • DMJ70H900HJ3
    DMJ70H900HJ3

    DMJ70H900HJ3

  • 深圳市科宏特電子有限公司
    深圳市科宏特電子有限公司

    聯(lián)系人:李瑞兵

    電話:18897698645

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路華強電子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • Diodes

  • 22+

  • -
  • 原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共1條 
  • 1
DMJ70H900HJ3 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
DMJ70H900HJ3 技術(shù)參數(shù)
  • DMHE001 功能描述:DSUB 9 METAL DIE CAST B/S 制造商:cinch connectivity solutions 系列:* 零件狀態(tài):有效 標準包裝:1 DMHA14R5V353M4ATA0 功能描述:SUPERCAPACITOR 制造商:murata electronics north america 系列:DMH 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 電容:35mF 容差:±20% 電壓 - 額定:4.5V ESR(等效串聯(lián)電阻):300 毫歐 @ 1kHz 不同溫度時的使用壽命:- 端接:SMD(SMT)凸片 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,扁平引線 引線間距:- 大小/尺寸:0.787" 長 x 0.787" 寬(20.00mm x 20.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.016"(0.40mm) 工作溫度:-40°C ~ 85°C 標準包裝:500 DMG8880LSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11.6A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 11.6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):27.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1289pF @ 15V 功率 - 最大值:1.43W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SOP 標準包裝:1 DMG4712SSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,肖特基,金屬氧化物! FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11.2A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 毫歐 @ 11.2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):45.7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2296pF @ 15V 功率 - 最大值:1.55W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SOP 標準包裝:1 DMG4468LFG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):無貨 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):7.62A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):15 毫歐 @ 11.6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):18.85nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):867pF @ 10V 功率 - 最大值:990mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerUDFN 供應商器件封裝:DFN3030-8 標準包裝:1 DML1009LDS-13 DML1009LDS-7 DML10M8LDS-13 DML3006LFDS-7 DML3009LDC-7 DML-430A DML-430A-C DM-LX3-1 DMM1P15K-F DMM1P22K-F DMM1P33K-F DMM1P47K-F DMM1P68K-F DMM1W10K-F DMM1W1K-F DMM1W1P5K-F DMM1W2P2K-F DMM1W3P3K-F
配單專家

在采購DMJ70H900HJ3進貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點此反饋

友情提醒:為規(guī)避購買DMJ70H900HJ3產(chǎn)品風險,建議您在購買DMJ70H900HJ3相關(guān)產(chǎn)品前務(wù)必確認供應商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。

免責聲明:以上所展示的DMJ70H900HJ3信息由會員自行提供,DMJ70H900HJ3內(nèi)容的真實性、準確性和合法性由發(fā)布會員負責。買賣IC網(wǎng)不承擔任何責任。

買賣IC網(wǎng) (m.hkdtupc.cn) 版權(quán)所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術(shù)有限公司 | 粵公網(wǎng)安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號