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AUIRFS3207ZTRL

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  • 型號
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  • 封裝
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AUIRFS3207ZTRL PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET 75V 170A 4.1 mOhm Automotive MOSFET
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
AUIRFS3207ZTRL 技術(shù)參數(shù)
  • AUIRFS3207Z 功能描述:MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):75V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.1 毫歐 @ 75A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 150μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):170nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6920pF @ 50V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標準包裝:50 AUIRFS3206TRL 功能描述:MOSFET N-CH 60V 210A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3 毫歐 @ 75A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 150μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):170nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6540pF @ 50V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 AUIRFS3206 功能描述:MOSFET N-CH 60V 210A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3 毫歐 @ 75A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 150μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):170nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6540pF @ 50V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標準包裝:50 AUIRFS3107TRL 功能描述:MOSFET N-CH 75V 230A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):75V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):195A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3 毫歐 @ 140A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):240nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):9370pF @ 50V 功率 - 最大值:370W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 AUIRFS3107-7P 功能描述:MOSFET N-CH 75V 230A D2PAK-7P 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):75V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):240A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.6 毫歐 @ 160A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):240nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):9200pF @ 50V 功率 - 最大值:370W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7,D2Pak(6 引線+接片) 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK(7-Lead) 標準包裝:50 AUIRFS4115 AUIRFS4115-7P AUIRFS4115-7TRL AUIRFS4115TRL AUIRFS4127 AUIRFS4127TRL AUIRFS4310 AUIRFS4310TRL AUIRFS4310Z AUIRFS4310ZTRL AUIRFS4410Z AUIRFS4610 AUIRFS6535 AUIRFS6535TRL AUIRFS8403 AUIRFS8403TRL AUIRFS8405 AUIRFS8405TRL
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