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AUIRFSL6535

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  • 型號
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  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • AUIRFSL6535
    AUIRFSL6535

    AUIRFSL6535

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • AUIRFSL6535
    AUIRFSL6535

    AUIRFSL6535

  • 中山市翔美達電子科技有限公司
    中山市翔美達電子科技有限公司

    聯系人：朱小姐

    電話：155020706551802218672813590991023

    地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室

  • 3000

  • Infineon/英飛凌

  • NA

  • 19+

  • -

  • 公司全新原裝正品,QQ153058080...

  • AUIRFSL6535
    AUIRFSL6535

    AUIRFSL6535

  • 深圳市科宏特電子有限公司
    深圳市科宏特電子有限公司

    聯系人：李瑞兵

    電話：18897698645

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強電子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • Infineon

  • 22+

  • -

  • 原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
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  • 制造商
  • IRF
  • 制造商全稱
  • International Rectifier
  • 功能描述
  • Advanced Process Technology Low On-Resistance
AUIRFSL6535 技術參數
  • AUIRFSL4310 功能描述:MOSFET N-CH 100V 75A TO262 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):最後搶購 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc） 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:250nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:7670pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:300W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 75A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-262 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 標準包裝:1,000 AUIRFSL4115 功能描述:MOSFET N CH 150V 99A TO262 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:99A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12.1 毫歐 @ 62A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5270pF @ 50V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:TO-262 標準包裝:50 AUIRFSA8409-7TRL 功能描述:MOSFET NCH 40V 523A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:汽車級，AEC-Q101，HEXFET? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:523A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:0.69 毫歐 @ 100A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:460nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13975pF @ 25V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片） 供應商器件封裝:D2PAK（7-Lead） 標準包裝:800 AUIRFSA8409-7P 功能描述:MOSFET NCH 40V 523A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:汽車級，AEC-Q101，HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:523A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:0.69 毫歐 @ 100A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:460nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13975pF @ 25V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片） 供應商器件封裝:D2PAK（7-Lead） 標準包裝:50 AUIRFS8409-7TRL 功能描述:MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:240A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:0.75 毫歐 @ 100A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:460nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13975pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:375W (Tc) 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片） 供應商器件封裝:D2PAK（7-Lead） 標準包裝:800 AUIRFU8401 AUIRFU8403 AUIRFU8405 AUIRFZ24NS AUIRFZ24NSTRL AUIRFZ24NSTRR AUIRFZ34N AUIRFZ44N AUIRFZ44NS AUIRFZ44VZS AUIRFZ44VZSTRL AUIRFZ44Z AUIRFZ44ZS AUIRFZ44ZSTRL AUIRFZ46NL AUIRFZ48N AUIRFZ48Z AUIRFZ48ZS
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