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AUIRFU8403

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    AUIRFU8403

    AUIRFU8403

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

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  • AUIRFU8403
    AUIRFU8403

    AUIRFU8403

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

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  • AUIRFU8403
    AUIRFU8403

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  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
    中山市翔美達(dá)電子科技有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號(hào)金盛廣場(chǎng)1棟613室

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  • AUIRFU8403
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  • 深圳市鵬威爾科技有限公司
    深圳市鵬威爾科技有限公司

    聯(lián)系人:胡慶偉

    電話:13138879988

    地址:深圳市寶安區(qū)新安街道翻身路117號(hào) 富源商貿(mào)中心D棟601

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  • 制造商
  • International Rectifier
  • 功能描述
  • AUTOMOTIVE G12.7 MOSFET 40VN - Rail/Tube
  • 制造商
  • International Rectifier
  • 功能描述
  • Auto 40V N-Ch FET 2.4mOhm 100A
AUIRFU8403 技術(shù)參數(shù)
  • AUIRFU540Z 功能描述:MOSFET N CH 100V 35A IPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):35A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):28.5 毫歐 @ 21A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):59nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1690pF @ 25V 功率 - 最大值:91W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 AUIRFU4292 功能描述:MOSFET N CH 250V 9.3A IPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):9.3A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):345 毫歐 @ 5.6A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):20nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):705pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 AUIRFU4104 功能描述:MOSFET N-CH 40V 42A IPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):最後搶購(gòu) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):42A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):89nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):140W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5.5 毫歐 @ 42A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AUIRFU3607 功能描述:MOSFET N CH 75V 56A I-PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):最後搶購(gòu) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):75V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):56A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):84nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):3070pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):140W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):9 毫歐 @ 46A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AUIRFU1010Z 功能描述:MOSFET N-CH 55V 91A IPAK 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:- FET 功能:- 漏源極電壓(Vdss):- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):- 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-262 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 AUIRFZ44Z AUIRFZ44ZS AUIRFZ44ZSTRL AUIRFZ46NL AUIRFZ48N AUIRFZ48Z AUIRFZ48ZS AUIRG4BC30S-S AUIRG4BC30SSTRL AUIRG4BC30U-S AUIRG4BC30USTRL AUIRG4PC40S-E AUIRG4PH50S AUIRGB4062D1 AUIRGDC0250 AUIRGF65A40D0 AUIRGF65G40D0 AUIRGF66524D0
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