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AUIRF7736M2TR1-CT

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AUIRF7736M2TR1-CT 技術參數(shù)

AUIRF7736M2TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 179A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:22A（Ta），108A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 65A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 150μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:108nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4267pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DirectFET? 等距 M4 供應商器件封裝:DIRECTFET? M4 標準包裝:4,800 AUIRF7734M2TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 17A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:17A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.9 毫歐 @ 43A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2545pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DirectFET? 等距 M2 供應商器件封裝:DIRECTFET? M2 標準包裝:4,800 AUIRF7732S2TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:14A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.95 毫歐 @ 33A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1700pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DirectFET? 等距 SC 供應商器件封裝:DIRECTFET? SC 標準包裝:4,800 AUIRF7675M2TR 功能描述:MOSFET N-CH 150V 90A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.4A（Ta），18A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:32nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1360pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.7W（Ta），45W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:56 毫歐 @ 11A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:DIRECTFET? M2 封裝/外殼:DirectFET? 等距 M2 標準包裝:1 AUIRF7669L2TR 功能描述:MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:19A（Ta），114A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.4 毫歐 @ 68A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5660pF @ 25V 功率 - 最大值:3.3W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DirectFET? 等距 L8 供應商器件封裝:DIRECTFET L8 標準包裝:1 AUIRF8736M2TR AUIRF8739L2TR AUIRF9540N AUIRF9952Q AUIRF9952QTR AUIRF9Z34N AUIRFB3207 AUIRFB3806 AUIRFB4410 AUIRFB4610 AUIRFB8405 AUIRFB8407 AUIRFB8409 AUIRFBA1405 AUIRFL014N AUIRFL014NTR AUIRFL024N AUIRFL024NTR