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AUIRFR120ZTRL

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  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
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  • 說明
  • 操作
  • AUIRFR120ZTRL
    AUIRFR120ZTRL

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • IR

  • DPAK

  • 最新批號

  • -

  • 代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨！

  • AUIRFR120ZTRL
    AUIRFR120ZTRL

    AUIRFR120ZTRL

  • 深圳市大源實業(yè)科技有限公司
    深圳市大源實業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：李女士

    電話：1530261991513762584085

    地址：深圳市龍崗區(qū)五和大道山海商業(yè)廣場C座707室

  • 7600

  • IR

  • TO-252

  • 22+

  • -

  • 公司原裝現(xiàn)貨，可訂貨，有單來談QQ:16...

  • AUIRFR120ZTRL
    AUIRFR120ZTRL

    AUIRFR120ZTRL

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人：張小姐

    電話：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區(qū)華強路華強廣場D座16層18B

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 201000

  • INFINEON/英飛凌

  • NA

  • 23+

  • -

  • 可訂貨，請確認

  • 1/1頁 40條/頁 共15條 
  • 1
AUIRFR120ZTRL PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 190mOhms
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
AUIRFR120ZTRL 技術(shù)參數(shù)
  • AUIRFR120Z 功能描述:MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8.7A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:190 毫歐 @ 5.2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 25μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:310pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標準包裝:75 AUIRFR1018E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 79A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:56A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.4 毫歐 @ 47A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:69nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2290pF @ 50V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標準包裝:75 AUIRFR024N 功能描述:MOSFET N-CH 55V 17A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:17A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:75 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:370pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252AA 標準包裝:75 AUIRFP4568-E 功能描述:MOSFET N-CH 150V 171A TO247 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:171A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.9 毫歐 @ 103A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:227nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10470pF @ 50V 功率 - 最大值:517W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247AD 標準包裝:25 AUIRFP4568 功能描述:MOSFET N-CH 150V 171A AUTO 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:171A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.9 毫歐 @ 103A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:227nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10470pF @ 50V 功率 - 最大值:517W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247AC 標準包裝:25 AUIRFR3504Z AUIRFR3607 AUIRFR3710Z AUIRFR3806 AUIRFR3806TRL AUIRFR4104 AUIRFR4105 AUIRFR4105Z AUIRFR4105ZTRL AUIRFR4292 AUIRFR4292TRL AUIRFR4615 AUIRFR4615TRL AUIRFR4620 AUIRFR4620TRL AUIRFR48Z AUIRFR48ZTRL AUIRFR5305
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