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APT50GP60B2DQ2GMI

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    APT50GP60B2DQ2GMI

    APT50GP60B2DQ2GMI

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯(lián)系人：廖小姐

    電話：13410012158

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上航大廈西座四層

  • 5000

  • Microsemi

  • T-MAX?

  • 11+

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  • 100%進(jìn)口原裝正品，只做原裝

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APT50GP60B2DQ2GMI 技術(shù)參數(shù)
  • APT50GP60B2DQ2G 功能描述:IGBT PT 600V 150A 625W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):190A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.7V @ 15V，50A 功率 - 最大值:625W 開(kāi)關(guān)能量:465μJ（開(kāi)），635μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:165nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:19ns/85ns 測(cè)試條件:400V，50A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 變式 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT50GN60BG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 600V 107A 366W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:107A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):150A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.85V @ 15V，50A 功率 - 最大值:366W 開(kāi)關(guān)能量:1185μJ（開(kāi)），1565μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:325nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:20ns/230ns 測(cè)試條件:400V，50A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT50GN60BDQ2G 功能描述:IGBT Trench Field Stop 600V 107A 366W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:107A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):150A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.85V @ 15V，50A 功率 - 最大值:366W 開(kāi)關(guān)能量:1185μJ（開(kāi)），1565μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:325nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:20ns/230ns 測(cè)試條件:400V，50A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT50GN120L2DQ2G 功能描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 134A 543W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT，溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:134A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):150A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，50A 功率 - 最大值:543W 開(kāi)關(guān)能量:4495μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:315nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:28ns/320ns 測(cè)試條件:800V，50A，2.2 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT50GN120B2G 功能描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 134A 543W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT，溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:134A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):150A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，50A 功率 - 最大值:543W 開(kāi)關(guān)能量:4495μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:315nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:28ns/320ns 測(cè)試條件:800V，50A，2.2 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 變式 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT50GT120B2RDLG APT50GT120B2RDQ2G APT50GT120B2RG APT50GT120JRDQ2 APT50GT120JU2 APT50GT120JU3 APT50GT120LRDQ2G APT50GT60BRDQ2G APT50GT60BRG APT50M38JLL APT50M50JLL APT50M65B2FLLG APT50M65B2LLG APT50M65JFLL APT50M65JLL APT50M65LFLLG APT50M65LLLG APT50M75B2LLG
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