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APT50GS60BRDLG

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  • 封裝
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  • APT50GS60BRDLG
    APT50GS60BRDLG

    APT50GS60BRDLG

    現(xiàn)貨
  • 集好芯城
    集好芯城

    聯(lián)系人：陳先生13360533550

    電話：0755-838679890755-82795565

    地址：深圳公司：深圳市福田區(qū)華富路航都大廈11F

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 16713

  • MICROSEMI/美高森美

  • NA

  • 22+

  • -

  • 原廠原裝現(xiàn)貨

  • APT50GS60BRDLG
    APT50GS60BRDLG

    APT50GS60BRDLG

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • APT50GS60BRDLG
    APT50GS60BRDLG

    APT50GS60BRDLG

  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話：0755-88608801多線17727932378

    地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

  • 9600

  • TO-247 [B]

  • APT(MICROSEMI)

  • 17+

  • -

  • 原裝正品。優(yōu)勢供應

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
APT50GS60BRDLG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI - Rail/Tube
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • POWER IGBT TRANSISTOR
APT50GS60BRDLG 技術(shù)參數(shù)
  • APT50GR120L 功能描述:IGBT NPT 1200V 117A 694W Through Hole TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:117A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):200A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，50A 功率 - 最大值:694W 開關(guān)能量:2.14mJ（開），1.48mJ（關(guān)） 輸入類型:標準 柵極電荷:445nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:28ns/237ns 測試條件:600V，50A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-264 標準包裝:1 APT50GR120JD30 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 84A 417W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:84A 功率 - 最大值:417W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:1.1mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:5.55nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT50GR120B2 功能描述:IGBT NPT 1200V 117A 694W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:117A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):200A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，50A 功率 - 最大值:694W 開關(guān)能量:2.14mJ（開），1.48mJ（關(guān)） 輸入類型:標準 柵極電荷:445nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:28ns/237ns 測試條件:600V，50A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:1 APT50GP60JDQ2 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 100A 329W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:329W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.7V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:525μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:5.7nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT50GP60J 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 100A 329W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:329W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.7V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:5.7nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT50GT60BRDQ2G APT50GT60BRG APT50M38JLL APT50M50JLL APT50M65B2FLLG APT50M65B2LLG APT50M65JFLL APT50M65JLL APT50M65LFLLG APT50M65LLLG APT50M75B2LLG APT50M75JLLU2 APT50M75JLLU3 APT50MC120JCU2 APT50N60JCCU2 APT50N60JCU2 APT51F50J APT51M50J
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