<label id="7pj2v"><fieldset id="7pj2v"></fieldset></label>
<em id="7pj2v"><sup id="7pj2v"></sup></em>
<small id="7pj2v"></small>
<ins id="7pj2v"><sup id="7pj2v"></sup></ins>
  • 您好,歡迎來到買賣IC網(wǎng) 登錄 | 免費注冊
    您現(xiàn)在的位置:買賣IC網(wǎng) > A字母型號搜索 >

    AO3411DS-T1

    配單專家企業(yè)名單
    • 型號
    • 供應(yīng)商
    • 數(shù)量
    • 廠商
    • 封裝
    • 批號
    • 價格
    • 說明
    • 操作
    • AO3411DS-T1
      AO3411DS-T1

      AO3411DS-T1

    • 深圳市華芯盛世科技有限公司
      深圳市華芯盛世科技有限公司

      聯(lián)系人:唐先生

      電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

      地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

    • 865000

    • SILIKRON

    • SOT23

    • 最新批號

    • -
    • 代理此型號.原裝正品現(xiàn)貨!

    • 1/1頁 40條/頁 共11條 
    • 1
    AO3411DS-T1 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
    AO3411DS-T1 技術(shù)參數(shù)
    • AO3409_103 功能描述:MOSFET P-CH 30V SOT23 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):最後搶購 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AO3409 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.6A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):130 毫歐 @ 2.6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):9nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):370pF @ 15V 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO3407A 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.3A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):48 毫歐 @ 4.3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):16nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):830pF @ 15V 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO3406L_104 功能描述:MOSFET N-CH 30V SOT23 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):最後搶購 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AO3406L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):初步 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3.6A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):5nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):210pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.4W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):50 毫歐 @ 3.6A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AO3415B AO3415L_107 AO3416 AO3416_104 AO3418 AO3418_101 AO3419 AO3419_101 AO3420 AO3420L AO3420L_103 AO3421 AO3421E AO3421L AO3422 AO3423 AO3423_102 AO3424
    配單專家
    AO3411DS-T1相關(guān)熱門型號

    在采購AO3411DS-T1進貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點此反饋

    友情提醒:為規(guī)避購買AO3411DS-T1產(chǎn)品風(fēng)險,建議您在購買AO3411DS-T1相關(guān)產(chǎn)品前務(wù)必確認供應(yīng)商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。

    免責(zé)聲明:以上所展示的AO3411DS-T1信息由會員自行提供,AO3411DS-T1內(nèi)容的真實性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會員負責(zé)。買賣IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

    買賣IC網(wǎng) (m.hkdtupc.cn) 版權(quán)所有?2006-2019
    深圳市碩贏互動信息技術(shù)有限公司 | 粵公網(wǎng)安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號