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AO4264_101

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
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  • 數(shù)量
  • 廠商
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AO4264_101 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SO
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 帶卷(TR)
  • 零件狀態(tài)
  • 停產(chǎn)
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)
  • 60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))
  • 12A(Ta)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 4.5V,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值)
  • 20nC @ 4.5V
  • Vgs(最大值)
  • ±20V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值)
  • 2007pF @ 30V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 3.1W(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值)
  • 11 毫歐 @ 12A,10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 8-SO
  • 封裝/外殼
  • 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 3,000
AO4264_101 技術(shù)參數(shù)
  • AO4264 功能描述:MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):12A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):11 毫歐 @ 12A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2007pF @ 30V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO4262E 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 16.5A 8SO 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):16.5A(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):25nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):1652pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):3.1W(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):6.5 毫歐 @ 16.5A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AO4260 功能描述:MOSFET N-CH 60V 18A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):18A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5.2 毫歐 @ 18A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):100nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):4940pF @ 30V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO4240 功能描述:MOSFET N-CH 40V 24A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):24A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.3 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):87nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):4245pF @ 20V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO4202L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):19A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5.3 毫歐 @ 19A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):35nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2200pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO4294 AO4296 AO4302 AO4304 AO4304_001 AO4306 AO4310 AO4312 AO4314 AO4354 AO4402 AO4403 AO4403L AO4404B AO4404BL AO4404BL_101 AO4405E AO4405L
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