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IX2B11P7
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
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聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
10000
IXYS
DIP14
15+
-
原裝正品，假一罰十

IX2B11P7
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-621049316210489162104578
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
IXYS
標(biāo)準(zhǔn)封裝
16+
-
假一罰十

IX2B11P7
深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
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聯(lián)系人：銷(xiāo)售部：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)8棟829/北京市海淀區(qū)中關(guān)村中銀街168-9號(hào)/香港辦事處:香港大理石
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
369
IXYS
14-DIP
23+
-
真實(shí)的資源竭誠(chéng)服務(wù)您！

IX2B11P7
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
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聯(lián)系人：譚玉麗
電話：19129491949(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-83267816
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
10001
IXYS
14-DIP
12+
-
授權(quán)分銷(xiāo) 現(xiàn)貨熱賣(mài)

IX2B11P7
深圳市華芯盛世科技有限公司
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聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
876500
IXYS
原廠封裝
最新批號(hào)
-
代理此型號(hào)，原裝正品現(xiàn)貨??！

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功能描述
IC DRVR HALF BRIDGE GATE 14-PDIP
RoHS
是
類(lèi)別
集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān)
系列
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝
50
系列
-
配置
高端
輸入類(lèi)型
非反相
延遲時(shí)間
200ns
電流 - 峰
250mA
配置數(shù)
1
輸出數(shù)
1
高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）
600V
電源電壓
12 V ~ 20 V
工作溫度
-40°C ~ 125°C
安裝類(lèi)型
通孔
封裝/外殼
8-DIP（0.300"，7.62mm）
供應(yīng)商設(shè)備封裝
8-DIP
包裝
管件
其它名稱(chēng)
*IR2127

IX2B11P7 技術(shù)參數(shù)

IX2A11S1T/R 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC 2 Amps 35V 7.5 Rds RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類(lèi)型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IX2A11S1 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE GATE 8-SOIC RoHS:是類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端輸入類(lèi)型:非反相延遲時(shí)間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件其它名稱(chēng):*IR2127 IX2A11P1 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE GATE 8-PDIP RoHS:是類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端輸入類(lèi)型:非反相延遲時(shí)間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件其它名稱(chēng):*IR2127 IX2204NE 功能描述:IC IGBT GATE DVR DUAL 16SOIC 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效驅(qū)動(dòng)配置:低壓側(cè) 通道類(lèi)型:獨(dú)立式驅(qū)動(dòng)器數(shù):2 柵極類(lèi)型:IGBT 電壓 - 電源:-10 V ~ 25 V 邏輯電壓?- VIL，VIH:0.8V，2V 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）:2A，4A 輸入類(lèi)型:非反相高壓側(cè)電壓 - 最大值（自舉）:- 上升/下降時(shí)間（典型值）:-，8ns 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:16-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IX21844N 功能描述:IC GATE DVR HALF 600V 14SOIC 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效驅(qū)動(dòng)配置:半橋通道類(lèi)型:同步驅(qū)動(dòng)器數(shù):2 柵極類(lèi)型:IGBT，N 溝道 MOSFET 電壓 - 電源:10 V ~ 20 V 邏輯電壓?- VIL，VIH:0.8V，2V 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）:1.4A，1.8A 輸入類(lèi)型:非反相高壓側(cè)電壓 - 最大值（自舉）:600V 上升/下降時(shí)間（典型值）:23ns，14ns 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:14-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IX2R11M6T/R IX2R11P7 IX2R11S3 IX2R11S3T/R IX3120G IX3120GE IX3120GES IX3120GESTR IX3120GS IX3120GSTR IX3180G IX3180GS IX3180GSTR IX40G-A-10S-CV(7.0) IX4340NE IX4423MTR IX4423N IX4423NTR