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IX2A11S1T/R

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  • IX2A11S1T/R
    IX2A11S1T/R

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  • 深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
    深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司

    聯(lián)系人：銷售部：馬先生

    電話：0755-8335078918923859456

    地址：深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)8棟829/北京市海淀區(qū)中關村中銀街168-9號/香港辦事處:香港大理石

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 369

  • IXYS

  • 8-SOIC

  • 23+

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  • 真實的資源竭誠服務您！

  • IX2A11S1T/R
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  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：譚玉麗

    電話：19129491949(手機優(yōu)先微信同號)0755-83267816

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

  • 10001

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  • 1
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  • 功能描述
  • 功率驅動器IC 2 Amps 35V 7.5 Rds
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Micrel
  • 產品
  • MOSFET Gate Drivers
  • 類型
  • Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
  • 上升時間
  • 下降時間
  • 電源電壓-最大
  • 30 V
  • 電源電壓-最小
  • 2.75 V
  • 電源電流
  • 最大功率耗散
  • 最大工作溫度
  • + 85 C
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • SOIC-8
  • 封裝
  • Tube
IX2A11S1T/R 技術參數(shù)
  • IX2A11S1 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE GATE 8-SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商設備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127 IX2A11P1 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE GATE 8-PDIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商設備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127 IX2204NE 功能描述:IC IGBT GATE DVR DUAL 16SOIC 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 驅動配置:低壓側 通道類型:獨立式 驅動器數(shù):2 柵極類型:IGBT 電壓 - 電源:-10 V ~ 25 V 邏輯電壓?- VIL，VIH:0.8V，2V 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）:2A，4A 輸入類型:非反相 高壓側電壓 - 最大值（自舉）:- 上升/下降時間（典型值）:-，8ns 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:16-SOIC 標準包裝:50 IX21844N 功能描述:IC GATE DVR HALF 600V 14SOIC 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 驅動配置:半橋 通道類型:同步 驅動器數(shù):2 柵極類型:IGBT，N 溝道 MOSFET 電壓 - 電源:10 V ~ 20 V 邏輯電壓?- VIL，VIH:0.8V，2V 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）:1.4A，1.8A 輸入類型:非反相 高壓側電壓 - 最大值（自舉）:600V 上升/下降時間（典型值）:23ns，14ns 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:14-SOIC 標準包裝:50 IX2127NTR 功能描述:IC MOSFET/IGBT DVR 600V 8-SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 系列:* 標準包裝:50 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA 供應商設備封裝:TO-263 包裝:管件 IX2R11M6 IX2R11M6T/R IX2R11P7 IX2R11S3 IX2R11S3T/R IX3120G IX3120GE IX3120GES IX3120GESTR IX3120GS IX3120GSTR IX3180G IX3180GS IX3180GSTR IX40G-A-10S-CV(7.0) IX4340NE IX4423MTR IX4423N
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