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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HZS3.0NB3 |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 中文描述： | 250 的低電流運(yùn)算，低反向泄露，低噪聲穩(wěn)壓二極管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 57K |
| 代理商： | HZS3.0NB3 |
HZS-N Series
Rev.1.00, Mar.11.2004, page 4 of 6
(Ta = 25°C)
Zener Voltage
V
Z
(V)*
1
Min
26.99
27.70
28.36
29.02
29.68
30.32
30.90
31.49
32.14
32.79
33.40
34.01
34.68
35.36
36.00
36.63
Reverse Current
I
R
(
μ
A)
Max
0.2
Dynamic Resistance
r
d
(
)
Max
55
Test
Condition
I
Z
(mA)
5
Test
Condition
V
R
(V)
23
Test
Condition
I
Z
(mA)
5
Type
Grade
Max
28.39
29.13
29.82
30.51
31.22
31.88
32.50
33.11
33.79
34.49
35.13
35.77
36.47
37.19
37.85
38.52
B1
B2
B3
B4
B1
B2
B3
B4
B1
B2
B3
B4
B1
B2
B3
B4
HZS30N
HZS33N
5
0.2
25
65
5
HZS36N
5
0.2
27
75
5
HZS39N
5
0.2
30
85
5
Notes: 1. Tested with pulse (P
W
= 40 ms).
2. Type No. is as follows: HZS2.0NB1, HZS2.0NB2, HZS39NB4.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HZS3.0NB4 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZS3.3NB4 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZS18NB1 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZS18NB2 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZS18NB3 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HZS30N-B3(TD-E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| HZS30NB4 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply |
| HZS33 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply |
| HZS331 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply |
| HZS33-1(TD-E) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
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