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參數(shù)資料
| 型號： | HZC33 |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 33 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封裝： | UFP, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 30K |
| 代理商： | HZC33 |
HZC Series
Rev.1, Jan. 2002, page 4 of 6
Main Characteristic
0
5
10 15 20 25
Zener Voltage V
Z
(V)
0.06
30 35 40 45
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.10
25
20
15
10
5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
%/
°
C
mV/
°
C
Fig.2 Temperature Coefficient vs. Zener voltage
Z
γ
Z
°
C
Z
γ
Z
°
C
250
200
150
100
50
200
150
100
50
00
3
0
1.5
1.5
Polyimide board
20h
×
15w
×
0.8t
unit: mm
Fig.2 Power Dissipation vs. Ambient Temperature
Ambient Temperature Ta (
°
C)
P
10
8
6
4
2
00
4
8
12
16
20
24
28
32
40
36
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
Zener Voltage V
Z
(V)
Fig.1 Zener current vs. Zener voltage
Z
Z
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HZF12CP | 12.75 V, 0.9 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| HZU2BLL | 2.1 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| HZU4ALL | 3.6 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| HZU7.5G | UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| IBM2017M016 | 1850 MHz - 1910 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND LOW POWER AMPLIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HZC36 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb |
| HZC36TRF-E | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| HZC3C2N | 制造商:DIALIGHT 制造商全稱:Dialight Corporation 功能描述:SafeSite? Series LED Area Light |
| HZC4.3 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb |
| HZC4.7 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb |
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