參數(shù)資料
型號: HYS72D64301HBR-6-C
廠商: QIMONDA AG
元件分類: DRAM
英文描述: 184-Pin Registered Double-Data-Rate SDRAM Module
中文描述: 64M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.7 ns, DMA184
封裝: GREEN, RDIMM-184
文件頁數(shù): 15/39頁
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代理商: HYS72D64301HBR-6-C
Internet Data Sheet
Rev. 1.22, 2007-08
03292006-6N25-8R3I
15
HYS72D[64/128/256]xxxHBR–[5/6]–C
Registered Double-Data-Rate SDRAM Module
3.2
A.C. Timing Parameters
TABLE 12
AC Timing - Absolute Specifications for PC3200 and PC2700
Parameter
Symbol
–5
–6
Unit
Note/ Test
Condition
1)
DDR400B
DDR333
Min.
Max.
Min.
Max.
DQ output access time from
CK/CK
CK high-level width
Clock cycle time
t
AC
–0.5
+0.5
–0.7
+0.7
ns
2)3)4)5)
t
CH
t
CK
0.45
5
6
7.5
0.45
(
t
WR
/
t
CK
)+(
t
RP
/
t
CK
)
0.55
8
12
12
0.55
0.45
6
6
7.5
0.45
0.55
12
12
12
0.55
t
CK
ns
ns
ns
t
CK
t
CK
2)3)4)5)
CL = 3.0
2)3)4)5)
CL = 2.5
2)3)4)5)
CL = 2.0
2)3)4)5)
CK low-level width
Auto precharge write recovery +
precharge time
DQ and DM input hold time
DQ and DM input pulse width
(each input)
DQS output access time from
CK/CK
DQS input low (high) pulse width
(write cycle)
DQS-DQ skew (DQS and
associated DQ signals)
Write command to 1
st
DQS
latching transition
DQ and DM input setup time
DQS falling edge hold time from
CK (write cycle)
DQS falling edge to CK setup
time (write cycle)
Clock Half Period
DQ & DQS high-impedance time
from CK/CK
Address and control input hold
time
t
CL
t
DAL
2)3)4)5)
2)3)4)5)6)
t
DH
t
DIPW
0.4
1.75
0.45
1.75
ns
ns
2)3)4)5)
2)3)4)5)6)
t
DQSCK
–0.6
+0.6
–0.6
+0.6
ns
2)3)4)5)
t
DQSL,H
0.35
0.35
t
CK
2)3)4)5)
t
DQSQ
+0.40
+0.40
ns
TFBGA
2)3)4)5)
t
DQSS
0.72
1.25
0.75
1.25
t
CK
2)3)4)5)
t
DS
t
DSH
0.4
0.2
0.45
0.2
ns
t
CK
2)3)4)5)
2)3)4)5)
t
DSS
0.2
0.2
t
CK
2)3)4)5)
t
HP
t
HZ
min. (t
CL
, t
CH
)
+0.7
min. (t
CL
, t
CH
)
+0.7
ns
ns
2)3)4)5)
2)3)4)5)7)
t
IH
0.6
0.75
ns
fast slew rate
3)4)5)6)8)
0.7
0.8
ns
slow slew rate
3)4)5)6)8)
Control and Addr. input pulse
width (each input)
t
IPW
2.2
2.2
ns
2)3)4)5)9)
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PDF描述
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