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參數資料
| 型號： | HYS64V16302GU-7-D |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 3.3 V 16M 】 64-Bit, 128MByte SDRAM Module 168-pin Unbuffered DIMM Modules |
| 中文描述： | 3.3伏1,600】64位，128MByte SDRAM內存模塊168針腳無緩沖DIMM模塊 |
| 文件頁數： | 10/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 89K |
| 代理商： | HYS64V16302GU-7-D |
HYS 64V16302GU
SDRAM-Modules
INFINEON Technologies
10
9.01
SPD-Table for 16M x 64 (128 MByte non-ECC) Modules HYS64V16302GU
Byte# Description
SPD Entry Value
Hex
16M x 64
-7.5
80
08
04
0D
09
01
40
00
01
75
54
00
82
-7
-8
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Number of SPD Bytes
Total Bytes in Serial PD
Memory Type
Number of Row Addresses
Number of Column Addresses
Number of DIMM Banks
Module Data Width
Module Data Width (cont
’
d)
Module Interface Levels
SDRAM Cycle Time at CL = 3
SDRAM Access Time at CL = 3
DIMM Config
Refresh Rate/Type
128
256
SDRAM
13
10
1
64
0
LVTTL
7.5 / 10 ns
5.4 / 6 ns
non-ECC
Self-Refresh,
7.8
μ
s
x16
na
t
CCD
= 1 CLK
75
54
A0
60
13
14
15
SDRAM Width, Primary
Error Checking SDRAM Data Width
Minimum Clock Delay for Back-to-
Back Random Column Address
Burst Length Supported
Number of SDRAM Banks
Supported CAS Latencies
CS Latencies
WE Latencies
SDRAM DIMM Module Attributes
SDRAM Device Attributes: General
SDRAM Cycle Time at CL = 2
SDRAM Access Time at CL = 2
SDRAM Cycle Time at CL = 1
SDRAM Access Time at CL = 1
Minimum Row Precharge Time
Min. Row to Row Active Delay
t
RRD
Minimum RAS to CAS Delay
t
RCD
Minimum RAS Pulse Width
t
RAS
Module Bank Density (per bank)
SDRAM Input Setup Time
SDRAM Input Hold Time
SDRAM Data Input Hold Time
SDRAM Data Input Setup Time
10
00
01
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
1, 2, 4 & 8
4
CL = 2 & 3
CS latency = 0
Write latency = 0
unbuffered
V
DD
tol +/
–
10%
7.5 / 10.0 ns
5.4 / 6.0 ns
not supported
not supported
15 / 20 ns
14 / 15 / 16 ns
15 / 20 ns
42 / 45 / 50 ns
256 MByte
1.5 / 2.0 ns
0.8 / 1.0 ns
1.5 / 2.0 ns
0.8 / 1.0 ns
0F
04
06
01
01
00
0E
A0
60
FF
FF
14
0F
14
2D
20
15
08
15
08
75
54
00
00
0F
0E
0F
2A
A0
60
FF
FF
14
10
14
2D
15
08
15
08
20
10
20
10
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