參數(shù)資料
型號(hào): HYB5118165BSJBST-50-
廠商: SIEMENS AG
英文描述: 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh
中文描述: 100萬(wàn)× 16位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器經(jīng)銷(xiāo)商刷新
文件頁(yè)數(shù): 10/26頁(yè)
文件大?。?/td> 269K
代理商: HYB5118165BSJBST-50-
Semiconductor Group
10
1M x 16-EDO DRAM
Hyper Page Mode (EDO) Read-modify-Write Cycle
Hyper page mode (EDO) read-
write cycle time
t
PRWC
58
68
77
ns
CAS precharge to WE
t
CPWD
41
49
56
ns
CAS-before-RAS Refresh Cycle
CAS setup time
t
CSR
t
CHR
t
RPC
t
WRP
10
10
10
ns
CAS hold time
10
10
10
ns
RAS to CAS precharge time
5
5
5
ns
Write to RAS precharge time
10
10
10
ns
Write hold time referenced to RAS
t
WRH
10
10
10
ns
CAS-before-RAS Counter Test Cycle
CAS precharge time
t
CPT
35
40
40
ns
Self Refresh Cycle
RAS pulse width
t
RASS
t
RPS
t
CHS
100k
_
100k
_
100k
_
ns
17
RAS precharge
95
_
110
_
130
_
ns
17
CAS hold time
-50
_
-50
_
-50
_
ns
17
AC Characteristics
(cont’d)
5)6)
16E
T
A
= 0 to 70 °C,
V
CC
= 5 V
±
10 %,
t
T
= 2 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Note
-50
-60
-70
min.
max. min.
max. min.
max.
HYB 5116(8)165BSJ-50/-60/-70
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB5118165BSJ-50 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh
HYB514256BJ-50 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM
HYB514256BJ-60 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM
HYB514256BJ-70 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM
HYB514256BJL-50 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB5118165BST-50 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh
HYB5118165BST-60 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh
HYB514100AJ-60 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM
HYB514100AJ-70 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM
HYB514100AJ-80 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM