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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB5118165BJ-50 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
| 中文描述： | 1M X 16 EDO DRAM, 50 ns, PDSO42 |
| 文件頁數(shù)： | 25/26頁 |
| 文件大小： | 269K |
| 代理商： | HYB5118165BJ-50 |
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Semiconductor Group
25
HYB 5116(8)165BSJ-50/-60/-70
1M x 16-EDO DRAM
CAS-Before-RAS Refresh Counter Test Cycle
t
CSR
t
ASR
t
ASC
t
CHR
t
CP
t
WRP
t
RAL
t
CAH
t
RSH
t
CAS
t
RP
t
RAS
t
RCS
t
CDD
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CAC
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AA
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CLZ
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DZC
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DZO
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t
OFF
t
RWL
t
CWL
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WCH
t
WCS
t
WRH
t
WRP
t
DS
t
DH
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VOH
VOL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
RAS
I/O
(Inputs)
OE
WE
Address
UCAS
LCAS
I/O
(Outputs)
I/O
(Outputs)
I/O
(Inputs)
WE
OE
Column
Row
Data Out
Data In
HI-Z
Read Cycle:
Write Cycle:
t
RRH
t
RCH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB5118165BSJBST-50- | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB5118165BSJ-50 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB514256BJ-50 | 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB514256BJ-60 | 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB514256BJ-70 | 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB5118165BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
| HYB5118165BJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
| HYB5118165BSJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB5118165BSJ-60 | 制造商:Siemens 功能描述:Dynamic RAM, EDO, 1M x 16, 42 Pin, Plastic, SOJ |
| HYB5118165BSJBST-50- | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
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