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參數(shù)資料
| 型號： | HYB3165800AJ-40 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 8 FAST PAGE DRAM, 40 ns, PDSO32 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 |
| 文件頁數(shù)： | 25/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 247K |
| 代理商： | HYB3165800AJ-40 |
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Semiconductor Group
8
HYB3164(5)800AJ/AT(L)-40/-50/-60
8M x 8-DRAM
DC-Characteristics (cont’d)
T
A = 0 to 70 °C, VSS = 0 V, VCC = 3.3 V ± 0.3 V
Parameter
Symbol refresh
version Unit Note
4k
8k
Operating Current
-40 ns version
-50 ns version
-60 ns version
(RAS, CAS, address cycling: tRC = tRC min.)
I
CC1
155
130
105
110
90
75
mA
2) 3) 4)
Standby Current
(RAS=CAS=Vih)
I
CC2
22mA
–
RASOnly Refresh Current:
-
-40 ns version
-50ns version
-60 ns version
(RAS cycling: CAS = VIH: tRC = tRC min.)
I
CC3
155
130
105
110
90
75
mA
2) 4)
Fast Page Mode Current:
-40 ns version
-50 ns version
-60 ns version
(RAS = VIL, CAS, address cycling: tPC=tPC min.)
I
CC4
70
60
50
70
60
50
mA
2) 3) 4)
Standby Current
(RAS=CAS= Vcc-0.2V)
I
CC5
900
A–
Standby Current (L-Version)
(RAS=CAS= Vcc-0.2V)
I
CC5
200
A–
CAS Before RAS Refresh Current
-40 ns version
-50 ns version
-60 ns version
(RAS, CAS cycling: tRC = tRC min.)
I
CC6
155
130
105
155
130
105
mA
2) 4)
Self Refresh Current (L-version only)
(CBR cycle with tRAS>TRASSmin, CAS held low,
WE = Vcc-0.2V, Address and Din=Vcc-0.2V or 0.2V)
I
CC7
400
A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3165800AJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 8-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165800AJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 8-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165800AT-40 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 8-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165800AT-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 8-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165800AT-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 8-Bit Dynamic RAM |
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